我們一直討論的熱點是Mini 主發(fā)光芯片，然而Mini LED背光發(fā)展背景也不容被忽視，那么它又是怎么一回事呢。
一、Mini LED背光發(fā)展背景
隨著我國進入疫情防控常態(tài)化階段，消費復蘇態(tài)勢逐步鞏固?；仡?020年，“宅經(jīng)濟”無疑是消費領域最大的熱點，而“宅經(jīng)濟”蓬勃發(fā)展，也同時助力8K、量子點、Mini LED等新型顯示技術的全面增長，因此在三星、LG、蘋果、TCL、京東方等頭部企業(yè)的強力推動下，采用直下式Mini LED背光的超高清Mini電視成為行業(yè)熱點。2023年，預期采用Mini LED背光的TV 背板市值將達到82億美金，其中20%的成本比例在Mini LED芯片。
直下式背光Mini LED具備高分辨率、壽命長、發(fā)光效率高、可靠性高等優(yōu)點，同時，Mini LED配合local dimming分區(qū)調控，可以實現(xiàn)高對比度HDR；配合高色域量子點，可實現(xiàn)寬色域>110%NTSC。因此Mini LED技術備受矚目，成為技術和市場發(fā)展的必然趨勢。
二、Mini LED背光芯片參數(shù)
國星光電全資子公司國星半導體積極針對Mini LED背光應用領域進行了Mini LED外延和芯片技術的開發(fā)。在產(chǎn)品的可靠性、抗靜電能力、焊接穩(wěn)定性、光色一致性等方面進行重點技術攻關，業(yè)已形成1021、0620等兩個系列的Mini LED背光芯片產(chǎn)品。同時，為了更好適應Mini COG封裝的要求，國星半導體開發(fā)出高壓0620新產(chǎn)品，為客戶提供更多的選擇方案。
三、Mini LED背光芯片特點
1. 高一致性外延結構設計，芯片抗靜電能力強
為提升Mini LED背光芯片的波長集中性，國星半導體采用獨特的外延層應力控制技術，降低內應力，保證量子阱生長過程中的一致性。在芯片方面通過特制化高可靠性的DBR倒裝芯片方案，實現(xiàn)超高的抗靜電能力。根據(jù)第三方實驗室的測試結果，國星半導體Mini LED背光芯片的抗靜電能力可以超過8000V，產(chǎn)品的抗靜電性能達到行業(yè)前列。
2.低OD廣角出光芯片結構，實現(xiàn)超薄背光應用
為滿足Mini LED背光超清、超薄的要求，國星半導體Mini LED背光芯片創(chuàng)新性地采用了低OD大出光角芯片結構，使芯片的出光角度增加20-30°，從而使Mini背光模組在低OD的情況下也可以實現(xiàn)均勻的混光效果，從而降低整機厚度，達到超薄化的目的。
3.免焊錫制程，改善封裝穩(wěn)定性
由于Mini芯片尺寸偏小，因此無論是傳統(tǒng)點錫膏還是刷錫膏方案，都無法精確控制錫膏用量，這很容易導致芯片焊接出現(xiàn)漂移、偏位、孔洞率大及失效等問題，這種問題在COG封裝上表現(xiàn)尤為突出。國星半導體率先開發(fā)具有自主專利的免焊錫制程，解決錫膏用量不均所帶來的芯片漂移等問題，提升客戶封裝工藝的穩(wěn)定性。
4.高精度分檔方案，提升光色一致性
為了提高Mini 背光模組的光色一致性，消除mura效應，國星半導體與戰(zhàn)略合作伙伴聯(lián)合開發(fā)了芯片級高精度混光方案，通過特殊的算法和排列方式，實現(xiàn)背光模組的均勻混光，消除因芯片的光色差異而引起的背光效果的差異性，提升Mini LED的背光顯示效果。
四、創(chuàng)新引領，打造高清顯示
國星半導體十分重視自主研發(fā)和知識產(chǎn)權對企業(yè)發(fā)展的推動作用，截止2021年2月，已申請Mini LED相關專利23項。下一步，國星半導體將持續(xù)秉承“3+2”產(chǎn)品戰(zhàn)略思路，持續(xù)專注Mini 背光和Mini 顯示芯片的開發(fā)，并積極拓展Micro LED芯片的研發(fā)及應用研究。同時，在國星光電堅持創(chuàng)新驅動發(fā)展戰(zhàn)略的引領下，加大科研創(chuàng)新力度，發(fā)揮自主創(chuàng)新的核心優(yōu)勢，堅定不移地走好創(chuàng)新發(fā)展之路。
